NCE2030 دیتاشیت

NCE2030

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت NCE2030
حجم فایل 79.286 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

مشاهده دیتاشیت NCE2030

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Wuxi NCE Power Semiconductor NCE2030
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 40W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 23.5nC@4.5V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 20V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 1.544nF@10V
  • Continuous Drain Current (Id): 30A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 700mV@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 201.4pF@10V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 10.5mΩ@10V,20A
  • Package: TO-220
  • Manufacturer: Wuxi NCE Power Semiconductor

محصولات مشابه